Group Leaders
1. GaN HEMTs on SiC for RF application:
Dr. 林岳欽 (Lin) Email:nctuyclin@nycu.edu.tw
曾皓 Email:howie.tseng.st11@nycu.edu.tw:
2. GaN HEMTs on Si:
林垣
楊志毅.
吳瑞笙.
3. InGaAs MOSFET:
陳沐雨.Email: kyle.ee11@nycu.edu.tw
4. InGaAs FinFET:
陳沐雨.Email: kyle.ee11@nycu.edu.tw
5. GaN HEMT Epitaxy:
翁祐晨 (Y.C. Weng). Email : ycweng@nycu.edu.tw
阮黃迅育
6. Selective area growth of GaN:
黃承鈞